FDS4935介绍：
描述 MOSFET 2P-CH 30V 6.9A 8-SOIC
制造商标准提前期 26 周
详细描述 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 6.9A 900mW 表面贴装 8-SOIC
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON Semiconductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 6.9A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 22 毫欧 @ 6.9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 40nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1360pF @ 15V
功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SOIC
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