FDMS7694介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V POWER56
制造商标准提前期 26 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 13.2A（Ta），20A（Tc） 2.5W（Ta），27W（Tc） 8-PQFN（5x6）
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.2A（Ta），20A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.5 毫欧 @ 13.2A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 22nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1410pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），27W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-PQFN（5x6）
封装/外壳 8-PowerTDFN
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
该公司的产品可助力工程师能够在以下领域应对其独特的设计挑战：汽车、通信、消费电子、工业、医疗、航空航天与国防等应用。安森美半导体拥有全球一流、响应迅速的可靠供应链和质量程序以及稳健的合规和道德程序，并在北美、欧洲和亚太地区的主要市场中形成了庞大的制造基地、销售办事处以及设计中心网络。