SIRA10DP-T1-GE3介绍：
描述 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 60A（Tc） 5W（Ta），40W（Tc） PowerPAK? SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 60A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.7 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 51nC @ 10V
Vgs（最大值） +20V，-16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2425pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 5W（Ta），40W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）; 场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。
威世随后采取了一些较小规模的对无源元件制造厂商的收购。 在2000年收购了伊莱克芬(Electro-Films)、思拉麦特(Cera-Mite)和思伯乔(Spectrol)，在2001年收购了铨斯特(Tansitor)和北美电容器公司(马洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。
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