SIRA10DP-T1-GE3介绍:
描述 MOSFET N-CH 30V 60A PPAK SO-8
制造商标准提前期 32 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 60A(Tc) 5W(Ta),40W(Tc) PowerPAK? SO-8
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 带卷(TR)
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 30V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 60A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 4.5V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.7 毫欧 @ 10A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 51nC @ 10V
Vgs(最大值) +20V,-16V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 2425pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 5W(Ta),40W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PowerPAK? SO-8
封装/外壳 PowerPAK? SO-8
晶体管有三个极: 双极性晶体管的三个极,分别由N型跟P型组成发射极(Emitter)、基极(Base)和集电极(Collector); 场效应晶体管的三个极,分别是源极(Source)、栅极(Gate)和漏极(Drain)。
威世随后采取了一些较小规模的对无源元件制造厂商的收购。 在2000年收购了伊莱克芬(Electro-Films)、思拉麦特(Cera-Mite)和思伯乔(Spectrol),在2001年收购了铨斯特(Tansitor)和北美电容器公司(马洛里)【North American Capacitor Company (Mallory) 】。
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