| 型号 | IRF4905STRLPBF | 厂家 | IR |
| 批号 | 17+ | 封装 | TO263 |
ET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 55V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 20 毫欧 @ 42A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 180nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3500pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 170W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
全新原装 正品现货
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