BUK7608-40B介绍：
描述 MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
详细描述 表面贴装 N 沟道 40V 75A（Tc） 157W（Tc） D2PAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Nexperia USA Inc.
系列 汽车级，AEC-Q101，TrenchMOS?
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 40V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 75A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8 毫欧 @ 25A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 36nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2689pF @ 25V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 157W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
理论上和实际证明，不同种类的晶体管可以在低于1伏到上千伏电压下工作，而电子管的第二电源（乙电）最低也要数伏，最高也就1000多伏，所以晶体管能被用在更广泛的电路中，使其他优势得以发挥。晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结
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