NSVMMUN2232LT1G介绍：
描述 TRANS PREBIAS NPN 246MW SOT23-3
制造商标准提前期 36 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 带卷（TR）
零件状态 在售
晶体管类型 NPN - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 发射极基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 15 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 1mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值） 500nA
功率 - 最大值 246mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 SOT-23-3（TO-236）
基本零件编号 MMUN22**L
晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
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