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晶体管 MJ11033G 双极 (BJT) - 单
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,晶体管 MJ11033G 双极 (BJT) - 单

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  • 发布日期: 2018年09月12日
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类型分立半导体产品  
MJ11033G介绍:

描述 TRANS PNP DARL 120V 50A TO3

制造商标准提前期 9 周

详细描述 Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - 双极 (BJT) - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包装   托盘

零件状态 在售

晶体管类型 PNP - 达林顿

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50A

电压 - 集射极击穿(最大值) 120V

不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 3.5V @ 500mA,50A

电流 - 集电极截止(最大值) 2mA

不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 1000 @ 25A,5V

功率 - 最大值 300W

频率 - 跃迁 -

工作温度 -55°C ~ 200°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-204AE

供应商器件封装 TO-3



晶体管实际上是所有现代电器的关键活动(active)元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力,因而可以不可思议地达到极低的单位成本。



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