| 型号 | FDMS86520L | 厂家 | ON |
| 批号 | 18+ | 封装 | 8-PQFN |
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 13.5A（Ta），22A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 8.2 毫欧 @ 13.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 63nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4615pF @ 30V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
全新原装 正品现货
深圳市柏新电子科技有限公司
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