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晶体管 NGTB25N120FL2WG MOSFET - 单
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,晶体管 NGTB25N120FL2WG MOSFET - 单

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  • 发布日期: 2018年08月09日
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类型分立半导体产品  
NGTB25N120FL2WG介绍:

描述 IGBT 1200V 25A TO247-3

制造商标准提前期 14 周

详细描述 IGBT Field Stop 1200V 50A 385W Through Hole TO-247-3

类别 分立半导体产品

晶体管 - UGBT,MOSFET - 单

制造商 ON SemIConductor

系列 -

包装 ? 管件 ?

零件状态 在售

IGBT 类型 场截止

电压 - 集射极击穿(最大值) 1200V

电流 - 集电极(Ic)(最大值) 50A

脉冲电流 - 集电极 (Icm) 100A

不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.4V @ 15V,25A

功率 - 最大值 385W

开关能量 1.95mJ(开),600μJ(关)

输入类型 标准

栅极电荷 178nC

25°C 时 Td(开/关)值 87ns/179ns

测试条件 600V,25A,10 欧姆,15V

反向恢复时间(trr) 154ns

工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247-3


晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面,其次是阻抗匹配、信号转换等,晶体管在电路中是个很重要的元件,许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
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