IPI072N10N3GXKSA1介绍：
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO262-3
详细描述 通孔 N 沟道 100V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO262-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 6V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.2 毫欧 @ 80A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 90μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 68nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 4910pF @ 50V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 PG-TO262-3
封装/外壳 TO-262-3，长引线，I2Pak，TO-262AA
MOSFET在概念上属于“绝缘栅极场效晶体管”（Insulated-Gate Field Effect Transistor,IGFET），而IGFET的栅极绝缘层有可能是其他物质而非MOSFET使用的氧化层。有些人在提到拥有多晶硅栅极的场效晶体管元件时比较喜欢用IGFET，但是这些IGFET多半指的是MOSFET。
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