DRA2143E0L介绍：
描述 TRANS PREBIAS PNP 200MW MINI3
制造商标准提前期 11 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200mW Surface Mount Mini3-G3-B
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
制造商 PanasonIC Electronic Components
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 发射极基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 20 @ 5mA，10V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 250mV @ 500μA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值） 500nA
功率 - 最大值 200mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装 迷你型3-G3-B
基本零件编号 DRA2143
无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性器件的美名。
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