慧荣科技推出最新PCIe NVMe SSD控制芯片，超高性能表现引领主流巿场

最新SM2262EN展现优越效能，循序读写速度高达3,500 MB/s和3,000 MB/s

2018年6月8日，台北——全球闪存控制芯片领导品牌慧荣科技（Silicon Motion Technology Corporation, NasdaqGS: SIMO）于台北国际电脑展（Computex Taipei）推出一系列最新款PCIe SSD控制芯片, 全系列符合PCIe Gen3 x4 通路NVMe 1.3规范，并以现场实测展现验证其优越效能，为PCIe SSD定义新标准。慧荣科技以最完整的PCIe NVMe SSD控制芯片解决方案，来满足全方位巿场需求，包括专为超高速Client SSD设计的SM2262EN、为主流SSD市场开发的SM2263EN，以及适用于BGA SSD的SM2263XT DRAM-Less控制芯片。全系列均采用慧荣独有的韧体技术，包括端到端资料路径保护、SRAM ECC、结合LDPC和RAID的最新第五代NANDXtend? ECC技术，支持全线最新3D TLC和QLC NAND，提供最完整及最稳定的资料保护，满足存储设备所需的高效稳定的需求。