FDP8N50NZ介绍：
描述 MOSFET N-CH 500V TO-220AB-3
制造商标准提前期 7 周
详细描述 通孔 N 沟道 500V 8A（Tc） 130W（Tc） TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 UniFET??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 8A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 850 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 18nC @ 10V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 735pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 130W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220-3
封装/外壳 TO-220-3
因为MOSFET跟英文单字“metal（金属）”的第一个字母M，在当下大部分同类的组件里是不存在的。早期金氧半场效晶体管栅极使用金属作为材料，但随着半导体技术的进步，现代的金氧半场效晶体管栅极已用多晶硅取代了金属。