SI5935CDC介绍：
描述 MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
详细描述 Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET?
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay SilIConix
系列 TrenchFET?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 100 毫欧 @ 3.1A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 11nC @ 5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 455pF @ 10V 功率 - 最大值 3.1W
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，扁平引线
供应商器件封装 1206-8 ChipFET?
基本零件编号 SI5935
双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，晶体管 SI5935CDC MOSFET - 阵列，类型:分立半导体产品的信息