FQP27N25介绍：
描述 MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220
制造商标准提前期 52 周
详细描述 通孔 N 沟道 250V 25.5A（Tc） 180W（Tc） TO-220AB
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 QFET?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 250V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 25.5A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 110 毫欧 @ 12.75A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 65nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2450pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 180W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-220AB
封装/外壳 TO-220-3
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。
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