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晶体管 FGP10N60UNDF MOSFET - 单
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  • 发布日期: 2018年07月18日
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类型分立半导体产品  
FGP10N60UNDF 介绍:
描述 IGBT 600V 20A 139W TO220-3
详细描述 IGBT NPT 600V 20A 139W Through Hole TO-220-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT,MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 管件 ?
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 30A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on) 2.45V @ 15V,10A
功率 - 最大值 139W
开关能量 150μJ(开),50μJ(关)
输入类型 标准
栅极电荷 37nC
25°C 时 Td(开/关)值 8ns/52.2ns
测试条件 400V,10A,10 欧姆,15V
反向恢复时间(trr) 37.7ns
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220-3


在双极性晶体管中,射极到基极的很小的电流,会使得发射极到集电极之间,产生大电流;在场效应晶体管中,在栅极施加小电压,来控制源极和泄极之间的电流。
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