RN2317介绍：
描述 TRANS PREBIAS PNP 0.1W USM
制造商标准提前期 16 周
详细描述 Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 100mA 200MHz 100mW Surface Mount USM
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单，预偏置
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 PNP - 预偏压
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 100mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
电阻器 - 发射极基底（R2） 4.7 kOhms
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 10mA，5V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 250μA，5mA
电流 - 集电极截止（最大值） 500nA
频率 - 跃迁 200MHz
功率 - 最大值 100mW
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SC-70，SOT-323
供应商器件封装 USM
基本零件编号 RN231*
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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