DMN3135LVT-7介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 12 周
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 3.5A 840mW Surface Mount TSOT-26
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Diodes Incorporated
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3.5A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 60 毫欧 @ 3.1A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 4.1nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 305pF @ 15V 功率 - 最大值 840mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装 TSOT-26
晶体管在电路最常用的用途应该是属于信号放大这一方面，其次是阻抗匹配、信号转换等，晶体管在电路中是个很重要的元件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。