STB16NF06LT4介绍：
描述 MOSFET N-CH 60V 16A D2PAK
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 42 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 60V 16A（Tc） 45W（Tc） D2PAK
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 STMICroelectronics
系列 STripFET??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 90 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小）
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 10nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±16V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 345pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 45W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，例如最大电压、最大电流、最大功率。在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以借由晶体管规格表或是Data Sheet得知。
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