TN2425N8-G介绍：
描述 MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 18 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 480mA（Tj） 1.6W（Tc） SOT-89-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 MICrochip Technology
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 480mA（Tj）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 3V，10V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 3.5 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 200pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.6W（Tc）
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-89-3
封装/外壳 TO-243AA
绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。
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