TN2425N8-G介绍:
描述 MOSFET N-CH 25V 480MA SOT89-3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 18 周
详细描述 表面贴装 N 沟道 25V 480mA(Tj) 1.6W(Tc) SOT-89-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 MICrochip Technology
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 25V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 480mA(Tj)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 3V,10V
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值) 3.5 欧姆 @ 500mA,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 2.5V @ 1mA
Vgs(最大值) ±20V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 200pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1.6W(Tc)
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-89-3
封装/外壳 TO-243AA
绝缘栅双极晶体管(Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT)综合了电力晶体管(Giant Transistor—GTR)和电力场效应晶体管(Power MOSFET)的优点,具有良好的特性,应用领域很广泛;IGBT也是三端器件:栅极,集电极和发射极。
免责声明: 以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是,晶体管 TN2425N8-G MOSFET - 单,类型:分立半导体产品的信息