CYATB108LD-ZS45XI介绍：
描述 IC NVSRAM 8M PARALLEL 44TSOP II
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）
制造商标准提前期 8 周
详细描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 8Mb （1M x 8） 并联 45ns 44-TSOP II 存储器
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 -
包装 ? 托盘 ?
零件状态 在售
存储器类型 非易失
存储器格式 NVSRAM
技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）
存储容量 8Mb （1M x 8）
写周期时间 - 字，页 45ns
访问时间 45ns
存储器接口 并联
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 44-TSOP（0.400"，10.16mm 宽）
供应商器件封装 44-TSOP II
存储器(Memory)是现代信息技术中用于保存信息的记忆设备。其概念很广，有很多层次，在数字系统中，只要能保存二进制数据的都可以是存储器;在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等。
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