FGPF10N60UNDF介绍：
描述 IGBT 600V 20A 42W TO-220F
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 IGBT NPT 600V 20A 42W Through Hole TO-220F-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - UGBT，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 NPT
电压 - 集射极击穿（最大值） 600V
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 20A
脉冲电流 - 集电极 (Icm) 30A
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.45V @ 15V，10A
功率 - 最大值 42W
输入类型 标准
栅极电荷 37nC
25°C 时 Td（开/关）值 8ns/52.2ns
测试条件 400V，10A，10 欧姆，15V
反向恢复时间（trr） 37.7ns
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3 整包
供应商器件封装 TO-220F-3
MOSFET依照其"通道"(工作载流子)的极性不同，可分为"N型"与"P型" 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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