IRF3575DTRPBF介绍：
描述 MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 2（1 年）
详细描述 Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 25V 303A (Tc) Surface Mount 32-PQFN (6x6)
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Infineon Technologies
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 303A（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） -
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） -
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） - 功率 - 最大值 -
工作温度 -
安装类型 表面贴装
封装/外壳 32-PowerWFQFN
供应商器件封装 32-PQFN（6x6）
晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。
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