SIHB6N65E-GE3介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 48nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 820pF @ 100V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 78W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 600 毫欧 @ 3A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 D2PAK（TO-263）
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路；在计算机电源中，主要用于开关电源。
晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。
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