TK12V60W,LVQ介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 DTMOSIV
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 11.5A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.7V @ 600μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 25nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 890pF @ 300V FET 功能 超级结
功率耗散（最大值） 104W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 300 毫欧 @ 5.8A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 4-DFN-EP（8x8）
封装/外壳 4-VSFN 裸露焊盘
在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
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