RFD16N06LESM9A介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 62nC @ 10V
Vgs（最大值） +10V，-8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 1350pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 90W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 47 毫欧 @ 16A，5V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TO-252AA
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，晶体管 RFD16N06LESM9A 半导体产品，类型:分立半导体产品的信息