HN1B01FU介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 阵列
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 NPN，PNP
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 150mA
电压 - 集射极击穿（最大值） 50V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 300mV @ 10mA，100mA
电流 - 集电极截止（最大值） 100nA（ICBO）
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 120 @ 2mA，6V
功率 - 最大值 200mW
频率 - 跃迁 120MHz
工作温度 125°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商器件封装 US6
在双极性晶体管中，射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和泄极之间的电流。
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