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二极管 SZMMSZ18T1G 齐纳
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  • 所 在 地: 广东 深圳市 宝安区
  • 发布日期: 2018年05月15日
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类型分立半导体产品  
SZMMSZ18T1G介绍:
描述 DIODE ZENER 18V 500MW SOD123
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL) 1(无限)
制造商标准提前期 40 周
详细描述 Zener Diode 18V 500mW ±5% Surface Mount SOD-123
类别 分立半导体产品
二极管 - 齐纳 - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 汽车级,AEC-Q101
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 在售
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) 18V
容差 ±5%
功率 - 最大值 500mW
阻抗(最大值)(Zzt) 45 Ohms
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 50nA @ 12.6V
不同 If 时的电压 - 正向(Vf 900mV @ 10mA
工作温度 -55°C ~ 150°C
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOD-123
供应商器件封装 SOD-123
基本零件编号 MMSZ18


在二极管加有反向电压,当电压值较小时,电流极小,其电流值为反向饱和电流IS。当反向电压超过某个值时,电流开始急剧增大,称之为反向击穿,称此电压为二极管的反向击穿电压,用符号UBR表示。
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