深圳市鑫弘瑞电子有限公司是专业IC方案服务商，经营品种齐全，产品广泛应用于电源、通信、数码、汽车、医疗、工、民用电子等设备。我们秉承互惠互利、共发展的原则，热忱欢迎国内外经销商、厂商前来洽谈合作，共谋发展！联系方式：0755-82764860、18927434041，QQ：183818172 / 3044067800 蔡经理！
 

产品技术参数

标准包装   2,500 包装   标准卷带  零件状态 在售 类别 分立半导体产品 产品族 晶体管 - FET，MOSFET - 单 系列 CoolMOS? E6 规格 FET 类型 N 沟道 技术 MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss） 650V 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16.1A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.5V @ 400μA 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 45nC @ 10V Vgs（最大值） ±20V 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 950pF @ 1000V FET 功能 - 功率耗散（最大值） 208W（Tc） 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 250 毫欧 @ 4.4A，10V 工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型 表面贴装 供应商器件封装 PG-TO252-3 封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63