FDS8928A介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 和 P 沟道
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 30V，20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.5A，4A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 30 毫欧 @ 5.5A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 28nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 900pF @ 10V 功率 - 最大值 900mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装 8-SO
根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件。