RRQ030P03TR介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Rohm SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 不適用於新設計
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 3A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 12nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 480pF @ 10V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 600mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 3A，10V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 TSMT6（SC-95）
封装/外壳 SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
MOSFET依照其“通道”（工作载流子）的极性不同，可分为“N型”与“P型” 的两种类型，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
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