供应ULN2003APG 晶体管

晶体管类型:7 NPN 

达林顿电流 - 集电极（Ic）（最大值）500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）50V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）1.6V @ 500μA，350mA

电流 - 集电极截止（最大值）50μA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）1000 @ 350mA，2V

功率 - 最大值1.47W

工作温度-40°C ~ 85°C（TA）

封装/外壳16-DIP（0.300"，7.62mm）

封装16-DIP

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

定义

       严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

       晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;

       场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器），。

简述

      晶体管是一种半导体器件，放大器或电控开关常用。晶体管是规范操作电脑，手机，和所有其英特尔3D晶体管技术(16张) 他现代电子电路的基本构建块。

      由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。