NTD40N03RT4G介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 25V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 7.8A（Ta），32A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 5.78nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 584pF @ 20V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1.5W（Ta），50W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 16.5 毫欧 @ 10A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 DPAK
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
由于电子管处理高频信号的效果不理想，人们就设法改进矿石收音机中所用的矿石触须式检波器。在这种检波器里，有一根与矿石（半导体）表面相接触的金属丝（像头发一样细且能形成检波接点），它既能让信号电流沿一个方向流动，又能阻止信号电流朝相反方向流动。