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晶体管 AT-32011-TR1G 双极 (BJT)
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  • 发布日期: 2018年05月04日
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类型分立半导体产品  
AT-32011-TR1G介绍:
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
制造商 Broadcom Limited
系列 -
包装 ? 带卷(TR) ?
零件状态 最後搶購
晶体管类型 NPN
电压 - 集射极击穿(最大值) 5.5V
频率 - 跃迁 -
噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) 1dB ~ 1.3dB @ 900MHz
增益 12.5dB ~ 14dB
功率 - 最大值 200mW
不同 IC,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值) 70 @ 2mA,2.7V
电流 - 集电极(Ic)(最大值) 32mA
工作温度 150°C(TJ)
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-253-4,TO-253AA
供应商器件封装 SOT-143
基本零件编号 AT32011


晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件,包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管
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