SI1026X-T1-GE3介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Vishay SilIConix
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 2 个 N 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 305mA
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 1.4 欧姆 @ 500mA，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 0.6nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 30pF @ 25V 功率 - 最大值 250mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 SOT-563，SOT-666
供应商器件封装 SC-89-6
基本零件编号 SI1026
晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。
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