HN4K03JU介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Toshiba SemIConductor and Storage
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） -
Vgs（最大值） 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8.5pF @ 3V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 200mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 12欧姆 @ 10mA，2.5V
工作温度 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 USV
封装/外壳 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353
由于其响应速度快，准确性高，晶体管可用于各种各样的数字和模拟功能，包括放大，开关，稳压，信号调制和振荡器。晶体管可独立包装或在一个非常小的的区域，可容纳一亿或更多的晶体管集成电路的一部分。