FDT1600N10ALZ介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 5.6A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 3.77nC @ 10V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 225pF @ 50V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 10.42W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 160 毫欧 @ 2.8A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 SOT-223-4
封装/外壳 TO-261-4，TO-261AA
晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。