NDH8304P介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 2 个 P 沟道（双）
FET 功能 逻辑电平门
漏源电压（Vdss） 20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.7A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 70 毫欧 @ 2.7A，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 865pF @ 10V 功率 - 最大值 800mW
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 8-SMD，鸥翼
供应商器件封装 SuperSOT?-8
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。