DIP-IPM（智能功率模块）是变频器的核心器件。智能功率模块一般由IGBT芯片、FWD（续流二极管）和控制（HVIC）电路组成。

由于开关频率的不断提高，致使引线寄生电感、寄生电容的现象愈加严重。对器件造成的过电压、过电流故障影响也越大。为提高变频系统的可靠性，电力电子生产厂家推出了DIP-IPM，是专门针对家电和伺服驱动器对功率器件低成本、小型化、高可靠性和易使用的要求开发而来。
 

图1：DIP-IPM电机驱动应用图

图1是DIP-IPM智能功率模块在电机驱动系统中的典型应用图。由图中可以看到：
1）DIP-IPM内置三相交流输出的IGBT逆变电路；

2）只需一个+15V的驱动电源；

3）高压集成HVIC高压控制电路，控制信号共地；

4）MCU输出信号与DIP-IPM驱动之间只需高速隔离器做隔离。

为满足DIP-IPM应用过程中，MCU控制信号与IPM高压信号的隔离，需要使用到高速隔离器。传统方案是使用高速隔离光耦来实现隔离功能，但由于光耦存在光衰、寿命较短， 6路光耦占用PCB面积太大等缺点，推荐使用Silicon Labs推出的高速隔离器Si8660BD，作为MCU控制信号与IPM高压信号的隔离。图2是Si8660原理框图：

图2：Si8660原理框图

Si8660原边A1~A6分别连接到MCU输出端（PWM控制信号），通过容耦隔离的方式将信号传递到副边B1~B6，输出的PWM控制信号连接到DIP-IPM的高压侧驱动Up、Vp、Wp以及低压侧驱动Un、Vn、Wn，实现MCU对DIP-IPM的运行控制。

Si8660的主要特点：
? 高传输速率：150Mbps

? 运行电压范围很宽：2.5V~5.5V

? 高达5000Vrms的隔离电压

? 额定工作电压下寿命可达60年

? 瞬态抑制能力50Kv/us

? 通过AEC-Q100汽车级认证

? 工作温度范围：-40~125℃