IXTH160N15T介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 TrenchHV??
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 150V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 160A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 1mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 160nC @ 10V
Vgs（最大值） ±30V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 8800pF @ 25V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 830W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 9.6 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247（IXTH）
封装/外壳 TO-247-3
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。