MJD50T4G 介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - 双极 (BJT) - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
晶体管类型 NPN
电流 - 集电极（Ic）（最大值） 1A
电压 - 集射极击穿（最大值） 400V
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值） 1V @ 200mA，1A
电流 - 集电极截止（最大值） 200μA
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值） 30 @ 300mA，10V
功率 - 最大值 1.56W
频率 - 跃迁 10MHz
工作温度 -65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
供应商器件封装 DPAK
基本零件编号 MJD50
无论多么优良的电子管，都将因阴极原子的变化和慢性漏气而逐渐劣化。由于技术上的原因，晶体管制作之初也存在同样的问题。随着材料制作上的进步以及多方面的改善，晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍，称得起永久性 器件的美名。
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