FDS7079ZN3介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 PowerTrench?
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 16A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 55nC @ 5V
Vgs（最大值） ±25V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 3630pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 3.13W（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 7.5 毫欧 @ 16A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 8-SO
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。