NTGS3433T1G介绍：
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 ON SemIConductor
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 12V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 2.35A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 2.5V，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 15nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±8V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 550pF @ 5V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 500mW（Ta）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 75 毫欧 @ 3.3A，4.5V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 6-TSOP
封装/外壳 SOT-23-6
晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。