S29GL512N11TFI020介绍：
制造商 Cypress Semiconductor Corp
系列 GL-N
包装 ? 托盘 ?
零件状态 停產
存储器类型 非易失
存储器格式 闪存
技术 FLASH - NOR
存储容量 512Mb （64M x 8，32M x 16）
写周期时间 - 字，页 110ns
访问时间 110ns
存储器接口 并联
工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 56-TFSOP（0.724"，18.40mm 宽）
供应商器件封装 56-TSOP
闪存的基本单元电路如下图所示，与EEPROM类似，也是由双层浮空栅MOS管组成。但是第一层栅介质很薄，作为隧道氧化层。写入方法与EEPROM相同，在第二级浮空栅加以正电压，使电子进入第一级浮空栅。读出方法与EPROM相同。
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