SI4920DY-T1-E3介绍： 
类别 分立半导体产品 
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 
制造商 Vishay SilIConix 
系列 TrenchFET? 
包装 ? 带卷（TR） ? 
零件状态 停產 
FET 类型 2 个 N 沟道（双） 
FET 功能 逻辑电平门 
漏源电压（Vdss） 30V 
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） - 
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 25 毫欧 @ 6.9A，10V 
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 1V @ 250μA（最小） 
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 23nC @ 5V 
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） - 
功率 - 最大值 2W 
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ） 
安装类型 表面贴装 
封装/外壳 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） 
供应商器件封装 8-SO 
基本零件编号 SI4920

，它的特点是栅极的内阻极高。