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存储器 MT41K512M8RH-125 IT:E DRAM
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，存储器 MT41K512M8RH-125 IT:E DRAM

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  • 所 在 地： 广东 深圳市 南山区
  • 发布日期： 2018年04月11日
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类型集成电路（IC）  
MT41K512M8RH-125 IT:E介绍：
类别 集成电路（IC）
存储器
制造商 Micron Technology Inc.
系列 -
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
存储器类型 易失
存储器格式 DRAM
技术 SDRAM - DDR3L
存储容量 4Gb （512M x 8）
时钟频率 800MHz
写周期时间 - 字，页 -
访问时间 13.75ns
存储器接口 并联
电压 - 电源 1.283 V ~ 1.45 V
工作温度 -40°C ~ 95°C（TC）
安装类型 表面贴装
封装/外壳 78-TFBGA
供应商器件封装 78-FBGA（9x10.5）
基本零件编号 MT41K512M8
构成存储器的存储介质，）。
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