STK11C88-NF25ITR介绍；

描述 IC NVSRAM 256KBIT 25NS 28SOIC

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

湿气敏感性等级（MSL） 3（168 小时）

详细描述 NVSRAM（非易失性 SRAM） 存储器 IC 256Kb （32K x 8） 并联 25ns 28-SOIC

类别 集成电路（IC）

存储器

制造商 Cypress Semiconductor Corp

系列 -

包装 ? 带卷（TR） ?

零件状态 停產

存储器类型 非易失

存储器格式 NVSRAM

技术 NVSRAM（非易失性 SRAM）

存储容量 256Kb （32K x 8）

写周期时间 - 字，页 25ns

访问时间 25ns

存储器接口 并联

电压 - 电源 4.5 V ~ 5.5 V

工作温度 -40°C ~ 85°C（TA）

安装类型 表面贴装

封装/外壳 28-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）

供应商器件封装 28-SOIC

基本零件编号 STK11C88

安富利（深圳）商贸有限公司介绍；

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动态存储器每片只有一条输入数据线，而地址引脚只有8条。为了形成64K地址，必须在系统地址总线和芯片地址引线之间专门设计一个地址形成电路。使系统地址总线信号能分时地加到8个地址的引脚上，借助芯片内部的行锁存器、列锁存器和译码电路选定芯片内的存储单元，锁存信号也靠着外部地址电路产生。

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