| 品牌 | Infineon | 型号 | FP35R12W2T4 |
| 封装形式 | IGBT | 最大整流电流 | 54 |
| 最大反向电压 | 1200 | | |
类别 分立半导体产品
晶体管 - IGBT - 模块
制造商 Infineon Technologies
系列 -
零件状态 在售
IGBT 类型 沟槽型场截止
配置 三相反相器
电压 - 集射极击穿（最大值） 1200V
电流 - 集电极（IC）（最大值） 54A
功率 - 最大值 215W
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on） 2.25V @ 15V，35A
电流 - 集电极截止（最大值） 1mA
不同 Vce 时的输入电容（Cies） 2nF @ 25V 输入 标准
工作温度 -40°C ~ 150°C
安装类型 底座安装
封装/外壳 模块
供应商器件封装 模块
深圳市芯驰科技有限公司
联系人：唐梅芳
联系方式：座机： 0755-23732686
手机： 15989494794
Q Q: 2750278528
办公地址：深圳福田区福田街道深南中路3029
仓库地址：深圳市龙华区民治街道松花大厦405
免责声明： 以上所展示的信息由企业自行提供，内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责。买卖IC网对此不承担任何保证责任。
以上是，英飞凌IGBT模块FP35R12W2T4，品牌:Infineon 型号:FP35R12W2T4 封装形式:IGBT 最大整流电流:54 最大反向电压:1200的信息