制造商
MICrosemi Corporation
制造商零件编号
APTC60HM35T3G
描述 MOSFET 4N-CH 600V 72A SP3
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
制造商标准提前期 32 周
详细描述 Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 600V 72A 416W Chassis Mount SP3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
制造商 Microsemi Corporation
系列 -
包装 ? 散装 ?
零件状态 在售
FET 类型 4 个 N 通道（H 桥）
FET 功能 标准
漏源电压（Vdss） 600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 72A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 35 毫欧 @ 72A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 3.9V @ 5.4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 518nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 14000pF @ 25V 功率 - 最大值 416W
工作温度 -40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 底座安装
封装/外壳 SP3
供应商器件封装 SP3
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