制造商
Infineon Technologies
制造商零件编号
IPB03N03LB G
描述 MOSFET N-CH 30V 80A TO-263
对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级（MSL） 1（无限）
详细描述 表面贴装 N 沟道 30V 80A（Tc） 150W（Tc） PG-TO263-3
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 Infineon Technologies
系列 OptiMOS??
包装 ? 带卷（TR） ?
零件状态 停產
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 2V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） 59nC @ 5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 7624pF @ 15V FET 功能 -
功率耗散（最大值） 150W（Tc）
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） 2.8 毫欧 @ 55A，10V
工作温度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型 表面贴装
供应商器件封装 PG-TO263-3
封装/外壳 TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
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